Autre centre de recherche, autre première mondiale, publiée dans la revue Electronic Letters ⁴. Cette fois, l'intégration est améliorée dans le domaine des fortes puissances, là où le silicium peine à rester le matériau le plus performant. L'équipe du CRHEA a déposé de fines couches de nitrure de gallium sur le support en silicium. Pourquoi le nitrure de gallium ? C'est un matériau pouvant supporter des champs électriques et des densités de courant beaucoup plus grandes que le silicium, un atout majeur pour les applications dites hyperfréquences (satellites, radars…). Toutefois, comme l'explique Jean Massies, responsable du projet, « ces deux matériaux possèdent des structures cristallines très différentes, ce qui les rend difficilement compatibles ». Mais désorienter légèrement la surface du silicium a permis aux chercheurs d'imposer une orientation unique au nitrure de gallium pour que les deux éléments s'ajustent mieux tout en respectant les normes (« axe cristallographique 001 ») utilisées couramment dans l'industrie de la microélectronique. Cela réduit la densité de défauts du dispositif, tout en augmentant le flux d'électrons dans le canal du transistor.