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Paris, 29 janvier 2013

Un nanodispositif pour contraindre localement les parois de domaines ferromagnétiques et en faire des mémoires

Non volatiles, les mémoires ferromagnétiques sont promises à un bel avenir dans le stockage des informations pour les applications mobiles et le multimédia. Des obstacles techniques ont retardé la révolution qu'elles promettent depuis plusieurs années. Deux équipes de l'Institut d'électronique fondamentale (Université Paris-Sud/CNRS), en collaboration avec le Laboratoire de génie électrique de Paris (CNRS/SUPELEC/UPMC/Université Paris-Sud) notamment, viennent de mettre au point des nanodispositifs intégrés qui permettraient d'accroître les capacités de stockage des mémoires numériques, tout en diminuant leur consommation d'énergie. Ces travaux viennent d'être publiés dans la revue Nature Communications.

Télécharger l'intégralité du communiqué de presse : CP-Nanodispositif

Notes :

Références :

Strain-controlled magnetic domain wall propagation in hybrid piezoelectric/ferromagnetic structures. Na Lei, Thibaut Devolder, Guillaume Agnus, Pascal Aubert, Laurent Daniel, Joo-Von Kim, Weisheng Zhao, Theodossis Trypiniotis, Russell P. Cowburn, Claude Chappert, Dafiné Ravelosona & Philippe Lecoeur, Nat. Commun. 4, 1378 (2013) (DOI : 10.1038/ncomms2386)

Contacts :

Chercheurs l Philippe Lecoeur l philippe.lecoeur@u-psud.fr
Dafiné Ravelosona l Dafine.ravelosona@u-psud.fr

Presse CNRS l Priscilla Dacher l T 01 44 96 46 06 l priscilla.dacher@cnrs-dir.fr
Presse Université Paris-Sud l Cécile Pérol l T 01 69 15 41 99 l cecile.perol@u-psud.fr
ou Gaëlle Degrez l T 01 69 15 55 91 - 06 21 25 77 45 l gaelle.degrez@u-psud.fr

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